]> git.kernelconcepts.de Git - karo-tx-uboot.git/blobdiff - doc/README.t4240qds
avr32: migrate cache functions
[karo-tx-uboot.git] / doc / README.t4240qds
index 677d120a80fb0cca84f5baae6dc42946a2f6713e..ef8c75f3b2c853e219649fb6acb42079a72b04cd 100644 (file)
@@ -86,7 +86,7 @@ The addresses in brackets are physical addresses.
 
 0x0_0000_0000 (0x0_0000_0000) - 0x0_7fff_ffff   2GB DDR (more than 2GB is initialized but not mapped under with TLB)
 0x0_8000_0000 (0xc_0000_0000) - 0x0_dfff_ffff 1.5GB PCIE memory
-0x0_f000_0000 (0xf_0000_0000) - 0x0_f03f_ffff  4MB  DCSR
+0x0_f000_0000 (0xf_0000_0000) - 0x0_f1ff_ffff  32MB DCSR (includes trace buffers)
 0x0_f400_0000 (0xf_f400_0000) - 0x0_f5ff_ffff  32MB BMan
 0x0_f600_0000 (0xf_f600_0000) - 0x0_f7ff_ffff  32MB QMan
 0x0_f800_0000 (0xf_f800_0000) - 0x0_f803_ffff 256KB PCIE IO
@@ -96,3 +96,80 @@ The addresses in brackets are physical addresses.
 0x0_ffff_f000 (0x0_7fff_fff0) - 0x0_ffff_ffff   4KB Boot page translation for secondary cores
 
 The physical address of the last (boot page translation) varies with the actual DDR size.
+
+Voltage ID and VDD override
+--------------------
+T4240 has a VID feature. U-boot reads the VID efuses and adjust the voltage
+accordingly. The voltage can also be override by command vdd_override. The
+syntax is
+
+vdd_override <voltage in mV>, eg. 1050 is for 1.050v.
+
+Upon success, the actual voltage will be read back. The value is checked
+for safety and any invalid value will not adjust the voltage.
+
+Another way to override VDD is to use environmental variable, in case of using
+command is too late for some debugging. The syntax is
+
+setenv t4240qds_vdd_mv <voltage in mV>
+saveenv
+reset
+
+The override voltage takes effect when booting.
+
+Note: voltage adjustment needs to be done step by step. Changing voltage too
+rapidly may cause current surge. The voltage stepping is done by software.
+Users can set the final voltage directly.
+
+2-stage NAND/SD boot loader
+-------------------------------
+PBL initializes the internal SRAM and copy SPL(160K) in SRAM.
+SPL further initialise DDR using SPD and environment variables
+and copy u-boot(768 KB) from NAND/SD device to DDR.
+Finally SPL transers control to u-boot for futher booting.
+
+SPL has following features:
+ - Executes within 256K
+ - No relocation required
+
+Run time view of SPL framework
+-------------------------------------------------
+|Area          | Address                       |
+-------------------------------------------------
+|SecureBoot header | 0xFFFC0000        (32KB)          |
+-------------------------------------------------
+|GD, BD                | 0xFFFC8000    (4KB)           |
+-------------------------------------------------
+|ENV           | 0xFFFC9000    (8KB)           |
+-------------------------------------------------
+|HEAP          | 0xFFFCB000    (50KB)          |
+-------------------------------------------------
+|STACK         | 0xFFFD8000    (22KB)          |
+-------------------------------------------------
+|U-boot SPL    | 0xFFFD8000    (160KB)         |
+-------------------------------------------------
+
+NAND Flash memory Map on T4QDS
+--------------------------------------------------------------
+Start          End             Definition      Size
+0x000000       0x0FFFFF        u-boot img      1MB
+0x140000       0x15FFFF        u-boot env      128KB
+0x160000       0x17FFFF        FMAN Ucode      128KB
+
+Micro SD Card memory Map on T4QDS
+----------------------------------------------------
+Block          #blocks         Definition      Size
+0x008          2048            u-boot img      1MB
+0x800          0016            u-boot env      8KB
+0x820          0128            FMAN ucode      64KB
+
+Switch Settings: (ON is 1, OFF is 0)
+===============
+NAND boot SW setting:
+SW1[1:8] = 10000010
+SW2[1.1] = 0
+SW6[1:4] = 1001
+
+SD boot SW setting:
+SW1[1:8] = 00100000
+SW2[1.1] = 0